исследование ВСИ в карбиде кремния

(PDF) Механизм образования углеродно ...

2018/1/1  Механизм образования углеродно-вакансионных структур в карбиде кремния при его росте методом замещения атомов. January 2018. Журнал

获取价格

Геохимический цикл углерода — ВикипедияСвязывание углерода — ВикипедияКарбамид. Технология получения и ...Научная электронная библиотекаКарбид кремния — свойства, получение и ...

Примеси и собственные дефекты в ...

2010/4/1  Примеси и собственные дефекты в карбиде кремния в связи с условиями роста, легирования и релаксационного отжига: дис. доктор физико

获取价格

Пути политипных превращений в карбиде ...

2019/1/1  Методами ab initio изучены два основных политипных превращения в карбиде кремния, а именно, 2 H→ 6 Hи 3C→ 6 H. Показано, что промежуточные

获取价格

Исследование радиационных дефектов в ...

2010/4/1  Глава 1. Основные свойства карбида кремния и глубоких центров, связанных с собственными и радиационными дефектами. 1.1. Основные

获取价格

Федеральное государственное ...

модель образования в карбиде кремния глубоких центров. Соискатель принимала участие в апробации работ на конференциях, семинарах и подготовке результатов

获取价格

Вестник НЯЦ РК 2, 2021

Исследования по получению мелкодисперсного, пористого и наноразмерного карбида кремния проводятся в ведущих научно-исследовательских институтах и

获取价格

Исследование структур на основе ...

Измерения толщины слоя карбида кремния на свидетеле дали результат 0,8 - 1 мкм. При замере удельного сопротивления карбида кремния четырех зондовым

获取价格

Карбид кремния — Википедия

Карби́д кре́мния ( карбору́нд ) — бинарное неорганическое химическое соединение кремния с углеродом. Химическая формула SiC. В природе встречается в виде

获取价格

Точечные дефекты в карбиде кремния как ...

Методами фотолюминесценции, электронного парамагнитного и оптически детектируемого магнитного резонансов X-диапазона были исследованы спиновые

获取价格

Интервью о карбиде кремния в ...

Ученые Института проблем машиноведения РАН создали абсолютно новую технологию получения карбида кремния на кремнии – кристаллического

获取价格

Пути политипных превращений в карбиде ...

2019/1/1  Методами ab initio изучены два основных политипных превращения в карбиде кремния, а именно, 2 H → 6 H и 3 C → 6 H .

获取价格

Карбид кремния — свойства, получение и ...

Исследование Муассана о естественном происхождении карбида кремния было изначально спорным, потому что его образец мог быть загрязнён крошкой карбида кремния от пилы (в то время пилы

获取价格

Исследование радиационных дефектов в ...

Исследование радиационных дефектов в карбиде кремния емкостными ... Собственные и радиационные дефекты в карбиде кремния. 1. 4. 1. 611-SiC; 1. 4.

获取价格

ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ...

ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ р-п ПЕРЕХОДОВ В р -МОДИФИКАЦИИ КАРБИДА КРЕМНИЯ (049 — Физика полупроводников и

获取价格

(PDF) Механизм образования углеродно ...

2018/1/1  Механизм образования углеродно-вакансионных структур в карбиде кремния при его росте методом... 1845 0 2 4 6 8 10 –10

获取价格

Создание и исследование оптически ...

Поздравляем с присуждением премий Правительства Санкт-Петербурга за выдающиеся результаты в области науки и техники в 2024 году! Показать все;

获取价格

Определение концентрации свободных ...

2016/7/17  На данный момент количество известных политипов кремния составляет около двухсот пятидесяти в любом политипе карбида кремния

获取价格

Создание и исследование оптически ...

Поздравляем с присуждением премий Правительства Санкт-Петербурга за выдающиеся результаты в области науки и техники в 2023 году! Мероприятия под

获取价格

Легирующие примеси в карбиде кремния ...

Особенности зонной структуры Все политипы карбида кремния-полупроводники с непрямым краем поглощения, т.е. местоположение потолка валентной зоны и

获取价格

Исследование влияния механической ...

Карелин В.А., Андриец С.П., Юферова А.П., Балыков Ю.И. Исследование влияния температуры синтеза на образование карбида кремния различных

获取价格

Эксперименты с карбидом кремния (SiC ...

2021/2/21  от 120 000 до 160 000 ₽MYRTEXМожно удаленно. Преподаватель по Figma. от 40 000 ₽CODDYМоскваМожно удаленно. Больше вакансий на Хабр

获取价格

Электроника на основе SiC - ResearchGate

5.1 Спиновые центры окраски в карбиде кремния как платформа для сенсорики, ... Более подробно исследование

获取价格

Электроника на карбиде кремния: мощнее ...

2021/9/13  Современные транзисторы на карбиде кремния при комнатной температуре имеют сопротивление в закрытом состоянии до 350 МОм против 15

获取价格

Давыдовская, Клавдия Сергеевна ...

Давыдовская, Клавдия Сергеевна. Влияние температуры облучения на образование радиационных дефектов в карбиде кремния и деградацию приборов на его основе

获取价格

Исследование радиационных дефектов в ...

Исследование радиационных дефектов в карбиде кремния емкостными методами скачать бесплатно автореферат. Заказать доставку диссертации по физике,

获取价格

Анисимов, Андрей Николаевич - Магнито ...

Автор: Анисимов, Андрей Николаевич: Заглавие: Магнито-оптическая резонансная спектроскопия и микроскопия спиновых центров окраски в карбиде кремния,

获取价格

Карбид кремния: свойства, применение ...

Карбид кремния обладает схожими свойствами с бриллиантом, поэтому используется в ювелирной и электронной промышленности в качестве дешевой альтернативы

获取价格

Физические основы использованных ...

Для исследования параметров глубоких центров в данной работе использовался метод нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней (deep level

获取价格

Федеральное государственное ...

РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КАРБИДЕ КРЕМНИЯ И ДЕГРАДАЦИЮ ПРИБОРОВ НА ЕГО ОСНОВЕ 1.3.11 – Физика полупроводников Диссертация на соискание

获取价格

Электронный парамагнитный резонанс ...

Электронный парамагнитный резонанс дефектов с глубокими уровнями в широкозонных полупроводниках: карбиде кремния и нитриде галлия : диссертация

获取价格